Với X-NAND, công ty sản xuất chất bán dẫn NEO hứa hẹn về SSD có tốc độ SLC cùng công suất QLC.
Giống như mọi năm, hội nghị về bộ nhớ flash (Flash Memory Summit) luôn mang đến cho chúng ta những câu chuyện mới mẻ về dự án sáng tạo cũng như các thuật ngữ, mà hầu hết đều hướng tới một mục đích là trong tương lai có thể tạo ra chiếc PC sở hữu một chiếc thẻ SSD nhanh hơn và cùng dung lượng lớn hơn.
Và thật may mắn khi chúng ta có một trường hợp như vậy. Andy Hsu, CEO của công ty sản xuất chất bán dẫn NEO, đã được nhận giải thưởng ở hạng mục Hardware Architecture and Most Innovative Flash Memory Startup sau bài giới thiệu về cấu trúc flash X-NAND do công ty anh thiết kế.
Được tiết lộ lần đầu tiên vào năm 2018, X-NAND khẳng định có tốc độ nhanh hơn gấp ba lần so với flash QLC (cell cấp 4, 4 bit trên mỗi cell) khi đọc và ghi ngẫu nhiên và nhanh hơn tới 27 lần khi đọc tuần tự. Nó cũng sở hữu kích thước nhỏ hơn, chỉ bằng 37% kích thước của một cell 16 lớp tiêu chuẩn.
Các ổ SSD giá cả rẻ nhất hiện tại thường kết hợp sử dụng QLC và SLC (cell đơn cấp, một bit trên mỗi cell) để giữ tốc độ. Điều này có nghĩa là tốc độ đọc giảm khi bộ nhớ đệm SLC được giải phóng và dữ liệu đọc từ QLC chậm hơn, với việc QLC chiếm phần lớn ổ đĩa.
Tuy nhiên, X-NAND có vẻ giống như một cách để duy trì hiệu suất cao nhất trong mọi lúc.
Hsu chia sẻ: “Kiến trúc X-NAND là một bước đột phá lớn trong thiết kế bộ nhớ flash NAND. Từ SLC đến QLC, dung lượng flash NAND của mỗi thế hệ đã lớn hơn và giá thành rẻ hơn, nhưng tốc độ của nó cũng trở nên chậm hơn đáng kể. Điểm hạn chế này của QLC đã ngăn cản việc sử dụng nó trong các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất tốc độ cao. Kiến trúc X-NAND của chúng tôi giải quyết hạn chế này bằng cách tăng mặt phẳng của mảng thông qua việc sử dụng kích thước bộ đệm trang hiện có, điều này sẽ làm tăng khả năng cho cả thao tác đọc và ghi. Kết quả là X-NAND có thể đạt được mật độ QLC với tốc độ SLC."
Tuy nhiên, nhà sản xuất chưa công bố thời điểm công nghệ này được ra mắt thị trường.
Viết bình luận
Bình luận
Hiện tại bài viết này chưa có bình luận.